隨著半導(dǎo)體器件性能越來越高，尤其是尺寸微型化及高功率密度的發(fā)展，散熱成為制約半導(dǎo)體器件穩(wěn)定性、可靠性、壽命等的技術(shù)瓶頸之一。特別對(duì)于納米尺度半導(dǎo)體器件，增加界面導(dǎo)熱是提升散熱性能中關(guān)鍵一環(huán)。因此，研究界面熱輸運(yùn)對(duì)于半導(dǎo)體器件的散熱具有重要的應(yīng)用價(jià)值和科學(xué)意義。

一般來說，對(duì)于半導(dǎo)體器件中的界面（半導(dǎo)體-半導(dǎo)體或金屬-半導(dǎo)體），傳統(tǒng)的擴(kuò)散失配模型（DMM）認(rèn)為界面處聲子輸運(yùn)是彈性過程，即聲子穿過界面能量不發(fā)生變化。由于聲子在德拜溫度下被全部激發(fā)，因此在高溫下（即溫度高于德拜溫度），聲子穿過界面能量不再隨溫度變化，其界面熱導(dǎo)呈現(xiàn)飽和趨勢(shì)。然而相對(duì)于理論模型，提高界面熱導(dǎo)的條件在實(shí)驗(yàn)上仍然存在不足。

針對(duì)上述問題，清華大學(xué)深圳國(guó)際研究生院孫波團(tuán)隊(duì)與上海交通大學(xué)顧驍坤團(tuán)隊(duì)、北京大學(xué)王新強(qiáng)團(tuán)隊(duì)合作，試圖探索提高界面熱導(dǎo)的條件。團(tuán)隊(duì)利用分子束外延（MBE）的方法，通過精確控制生長(zhǎng)條件制備出原子級(jí)平整和含有1nm互擴(kuò)散層的兩個(gè)Al/Si界面。采用時(shí)域熱反射法（TDTR）精確測(cè)量了不同溫度下的界面熱導(dǎo)。發(fā)現(xiàn)粗糙界面的熱導(dǎo)在高溫下趨于飽和，符合傳統(tǒng)的擴(kuò)散失配模型；而平整界面的熱導(dǎo)在高溫下隨溫度升高，與傳統(tǒng)理論背離，并且在平整Al/GaN界面上也觀察到了類似的現(xiàn)象。理論計(jì)算表明，平整界面的熱導(dǎo)隨溫度升高而升高是由于聲子在界面處發(fā)生了非彈性輸運(yùn)過程。在平整界面處，聲子的透射能力表現(xiàn)出更強(qiáng)的頻率相關(guān)性，使得聲子非平衡在該界面更顯著，促進(jìn)了聲子間的非彈性轉(zhuǎn)化，從而使得界面熱導(dǎo)在高溫下展現(xiàn)出更強(qiáng)的溫度相關(guān)性。該研究發(fā)現(xiàn)了在原子級(jí)平整的Al/Si、Al/GaN界面處的聲子非彈性輸運(yùn)過程，而該過程被視為界面處額外的聲子輸運(yùn)通道，可提高界面熱導(dǎo)，從而提升界面的散熱性能。該研究解決了長(zhǎng)久以來對(duì)界面聲子非彈性作用機(jī)理的爭(zhēng)論，并對(duì)半導(dǎo)體器件中的熱管理具有指導(dǎo)意義。

相關(guān)成果近日以“原子級(jí)平整界面處聲子非彈性輸運(yùn)”（Inelastic phonon transport across atomically sharp metal/semiconductor interfaces）為題，在線發(fā)表在國(guó)際期刊《自然·通訊》（Nature Communications）上。

本論文第一作者為清華大學(xué)深圳國(guó)際研究生院2020級(jí)博士生李沁書，北京大學(xué)博雅博士后劉放、上海交通大學(xué)2019級(jí)博士生胡松、清華大學(xué)深圳國(guó)際研究生院2015級(jí)博士生宋厚甫為共同第一作者。清華大學(xué)深圳國(guó)際研究生院孫波副教授、上海交通大學(xué)顧驍坤副教授和北京大學(xué)王新強(qiáng)教授為該論文共同通訊作者。論文共同作者還包括清華大學(xué)深圳國(guó)際研究生院康飛宇教授、伯克利加州大學(xué)吳軍橋教授等。

該研究工作得到了國(guó)家自然科學(xué)基金委項(xiàng)目、深圳市優(yōu)秀青年基金、北京市卓越青年科學(xué)家等項(xiàng)目的支持。(來源：清華大學(xué)）